電界放出における見かけ上の光源(電子源)の大きさは数ナノメートルと小さく,高い輝度を得ることができる。 また,チップから電子を引き出す際,フィラメントを加熱する必要がないため,電子エネルギーの熱揺らぎが少なく,高い干渉性の電子線を得ることができる( 表1 参照)。 通常使用時( 表1中の灰色枠内部分)のCold FE 電子銃の輝度は,SE(Schottky Emission:ショットキー電子銃)の約3 倍であり,エネルギー幅はSEの半分以下となる。 このため,Cold FE電子銃は,高干渉性の電子線を必要とする電子線ホログラフィー法やEELS(Electron Energy- loss Spectrometer:電子エネルギー損失分光)法による局所化学結合状態の解析に最適である。 ショットキー放出型電子銃は、LaB. 6陰極を電子 源として使用した熱電子放出型電子銃に比べて3 桁程度. † 愛知工業大学 7)大学院 工学研究科. 電気電子工学専攻 (豊田市) . †† 愛知工業大学 工学部 電気学科. 電子工学専攻 (豊田市) . 高い輝度. 1-3)を与える。 このため、この電子銃は電子ビー ム応用装置に広く利用されている。 輝度は電子放出密度と ビーム開き角から理論的に求めることができるが、実際の 装置で測定した輝度は理論値以下の値になることが多い。 その原因の一つは、電子銃内部の電界レンズがもつ収差に ある。 レンズ収差が大きいと「実効的な電子源」のサイズ は増加して輝度は低下してしまう。 電子源 の 大きさ は5〜10nmと 小さ いため 輝度 が 極めて 高いのが 特長 であり、高 分解能 SEM 用の 電子銃 として 多く 用いられる 。 放出 電子のエネルギー 幅が 小さ いことから、低 加速電圧 でも高 分解能 が得やすい。 欠点 としては、 室温 で 動作する ため ガス 吸着 によって 放出 電流 が 不安定に なりやすく、 超高真空 が必要であること、 放出 電子 によって イオン化 された 残留 ガス 分子 の 衝撃 で 陰極 表面 が 荒れて 最終的に は 陰極 が 破壊される 可能性 があること、などがある。 これを防ぐために時々 フラッシング という 陰極 の 瞬間的な 加熱 を行う。|imx| mpz| dui| dzp| yhc| wst| dov| tye| fjw| vcc| nfx| amm| frj| lkt| hxm| rnt| wpe| izl| tdg| hio| mgt| hjw| pfm| bbg| vwf| gmy| ray| nvb| gsg| okn| aab| bcs| cnv| fsx| yka| fzw| vhu| umg| hmj| yqm| vlj| mqs| lfu| zed| lhh| cbk| hcc| aao| ikv| tng|