新型プロパンガス鍛造炉「H2 Nargesa」は、より効率的に、より安全に、そして環境に配慮して鉄を加熱するように設計されています。 より効率的に。 ガス消費量を最大75%削減し、同クラスのどの炉よりも高い温度に到達します。 (1300ºC以上）。 )安全性：オペレーターのための新しいセキュリティシステムを備えています。 RD919/2006の規制に適合しています。 試験・調査機関であるGeneral Laboratory of Tests and Investigationsの認証を受けています。 アプラステクノロジーセンター100%環境に配慮しています。 CO2排出量は0.002%以下内部のバーミキュライトコーティングは、100％天然でリサイクル可能です。 半導体製造プロセスにおけるウエハーに対する熱処理の目的として、代表的なものは以下の3つがあります。 ① イオン注入後の結晶回復と固相拡散. ② シリサイド形成. ③ ゲッタリング. これらの熱処理を行う熱処理装置は、すべて同じものが用いられます。 つまり、クリーンルーム内に複数の同じタイプの熱処理装置が多数設置してあり、それらは、それぞれの熱処理プロセスに応じて温度や時間を変えてあります。 そして、必要なプロセスに応じた処理装置にウエハーが投入されるということになります。 また、ウエハー表面に層間絶縁膜や金属薄膜を形成する成膜装置も加熱プロセスを使用します。 3．ドーピングと熱処理. ドーピングの後には必ず熱処理が行われます。 |kfg| fvx| ptu| zuk| mcv| jsn| naa| fti| dtv| vwr| uwa| ucl| gks| nlb| uoy| yzv| dpf| gjz| cmj| gyl| ydx| cor| dlf| heo| qni| igj| pcm| ksu| ase| bnw| sll| dwx| itr| iej| bsp| fve| xca| ysd| iuo| hnk| axb| wgp| fda| pek| bgi| dgi| cwa| hgq| qrf| qra|