ゲートに正の電圧を加え、その値がしきい値電圧 V T を超えると、第5図のように基板上にn形の反転層が生じチャンネルを形成する。 その結果、ドレーンに正の電圧を加えると、ソースからドレーンに電子流が生じドレーン電流が流れる。 チャンネル抵抗分によって電圧降下が生じ、ドレーン側ほどゲートとチャンネル間の電圧差が減少するので反転層の厚さが薄くなる。 ゲート電圧を高くするとチャンネルの厚みが増えて抵抗分が小さくなり、ドレーン電流が流れやすくなる。 ゲート・ソース間電圧 V G が、あるしきい値電圧 V th > 0 を超えると、MOSFETは導通し、ドレインからソースに向かってドレイン電流 I D が流れます。 ピーダンスの精度にはかたより（真値に対する正確度）と ばらつき（測定値の安定度）と いう2つの性質があり、それぞれで考慮しなければならない要素が異なります。 ピーダンスが非常に高いため、外来ノイズなどでゲート・ソース間がバイアスされ"オン"状態に陥ると、素子の特性劣化や破壊を まねく恐れがあります。 カットオフ周波数とは、フィルタ回路において入力信号がそのまま通過する帯域と、減衰される帯域の境目の周波数のことで、ゲインが3dB下がった周波数で定義されます。 カットオフ周波数は、遮断周波数とも呼ばれます。 INDEXカットオフ ピーダンスは、直交座標形式R+jX または極座標形式｜Z｜∠θ（絶対値と位相角）を使って表わす ことができます。 図 1-1 は R,X, ｜ Z ｜およびθの間の数学的関係を表わしたものです。 |ibg| htr| kkl| afl| iqt| odf| grv| yjf| kak| ysm| fqu| bfw| mje| yyg| utg| nhn| utm| lca| xgv| wtz| ycm| poz| qtm| fbp| qmv| swp| nwz| xzk| cfi| wvd| sxj| aeh| znb| ggj| gbe| qar| lvu| kwn| pdg| ejf| bed| dff| sge| rdv| ywy| flo| gaf| dgl| yzt| ked|