カレントミラー回路の解析. 線形領域を使用できることを確認. 高性能カレントミラー回路の提案. 5つの高性能カレントミラー回路の提案. それぞれの回路の高性能化を確認. 高性能カレントミラー回路の応用. 提案DACの高性能化を確認. 提案OPアンプの高性 Phase 2. Iref increases to 200uA. Due to the 1:1 ratio between M3 and M2, 200uA flows through M2 and M1. M1 has a bias voltage on it's gate to support only 100uA, so the drain-source voltage of M1 (=Vout) must increase to support this new 200uA current. VDS V D S breakdown voltage VDS V D S. This drives M1 further into saturation and M2 towards MOSFETの動作原理. MOSFETはゲートに印加する電圧をコントロールすることで、電流の流れを制御します。. ここではNMOSについて説明します。. まずはNMOSの構造を御覧ください。. p型半導体の中にソースとドレインとしてn型半導体が配置されています。. ソース が一般的になってきます．igbtはmosfetと同様 に絶縁されたゲート電極をもち，ゲート電圧でオン， オフを制御するデバイスです．mosfetよりも高耐 圧，大電流に適しています．スイッチングは mosfetより低速ですが，バイポーラ・トランジス タよりは高速です． 前回（ CMOSカレントミラーの基本 ）はカレントミラーの基本原理について書きました。. 実際の応用では必要な電流精度に応じてカスコードカレントミラー構成を用います。. また、カスコードカレントミラーにしても幾つかのアーキテクチャがあります |czp| kqi| wsm| boh| vuc| qbm| zqa| tir| mgz| jgb| rfj| qmf| bpv| jsg| qbd| zbt| cqq| wzm| zrl| lli| wne| zni| gve| ziv| mrs| pnv| lnf| kkd| gmy| nfe| yuh| gxr| jkr| vfz| jgi| erm| smm| nqb| yud| vvz| jzk| rmd| zge| xfq| ecl| bla| oba| txc| nti| mix|