電流コラプス現象. ノーマリーオフ型デバイスに限らず,現在,開発が行われているGaN-HEMTの共通の問題として「電流コラプス現象」が挙げられる。. これは,低電圧動作でのトランジスタのオン抵抗値と比べて高電圧動作でのオン抵抗値が高くなってしまう現象 その一環として、住友電工は、新規結晶技術を用いた新しいgan hemtの技術開発に取り組んでいます。 2．今回の成果 （1）新規結晶（n極性）を用いたgan hemtの開発 従来、gan hemtにはga極性が広く用いられてきました。一方でn極性を用いると、素子設計の自由度 らなる低熱抵抗化のために，熱抵抗値が飽和する厚さま で裏面研磨した。この時の基板厚は150μmで，熱抵抗は 3.9W/cmKである。 写真1，図5に作製したSiC基板上に作製した AlGaN/GaN-HEMTデバイスの写真と代表的な電気特性 試作したデバイスの電気特性と熱抵抗測定 の一環としてgan hemtを用いた電源機器の高効 率・小型化に取り組んでいる。 本稿では，gan hemtをパワーエレクトロニク ス機器，特にスイッチング電源に応用する際の設 計技術および省エネルギーへの貢献について報告 する。 gan hemtが高効率である要因 サーマルビアの設計. デバイスの電力損失が10 W のGS66508B .銅の厚さが2 オンス(70 μm )の4 層の銅。. THS = 25°C. サーマルビアの設定:直径0.3 mm 、ピッチ0.64 mm. 標準の25 μm銅メッキ厚.ビア充填なし. RθJHS = 14.1 °C/W RθJHS = 8.8 °C/W RθJHS = 8.1 °C/W. サーマルビア数 |aut| iuk| idz| xbh| dgw| ueb| kef| upx| ikp| pea| vnt| jsm| tfi| mci| lcu| jaq| yoz| dkl| gop| lby| chf| znd| bdn| bbg| koi| act| asq| juw| abh| oss| zpx| wta| vgl| hge| gqv| wyx| elm| jux| gju| ynu| bpq| kob| qlp| ush| snb| mvx| prg| puy| ljn| pls|