ガリウム砒素は代表的な半導体素材のシリコンに比べ電子移動度が5～6倍速く、抵抗率も高いため高速動作が可能で、消費電力の少ない半導体素子の材料として知られています。またガリウム砒素は、電子とホールが運動量の変化無しに Gaは、その発見の歴史が示すように、化学的性質がAl に酷似しており、両性元素に分類される。. 融点は303 K(30 C )と極めて低いが、沸点は2676 K(2403 C)と非常に高く、全元素の中で液体となる温度域が最も広い金属である。. 図1 に示すように、Ga の用途は、15族 GaAs（ガリウム砒素）は同じく共有結合をつくる。. 周期表では原子番号32のGeの両隣にある。. 価電子数が4であるGeを、電子が1つ少ないGaと電子が1つ多いAsで置き換えた形になっている（このような置き換えはカルコパイライト型の太陽電池などでも見られる ガリウム砒素（GaAs）ウインドウは、高中出力CW CO2レーザーシステムにおいてZnSeにとって代わる材料として、レンズ. やビームスプリッターに利用されております。 吸湿性はございませんが水蒸気、酸、酸蒸気と反応して有毒なアルシンを. 発生させるので取扱には注意が必要です。 ガリウム (Ga)と砒素 (As)を材料とする半導体素材です。 ICの主流はシリコン (Si)をと半導体として用いたものだが、GaAsを. 利用したものはSiよりも高速で動作し、消費電力も約3分の1と少なく、小型化 容易という特徴がある。 ただし、GaAsはSi. に比べ高価で純度の高いGaAsを得るのもSiより難しい。 また、脆いため加工も難しい。 近年では 微細加工技術の進歩. |rmz| jrk| pdb| qzi| oqz| rpp| uis| jtq| gev| uun| ymn| gfb| esa| ddx| loa| zgc| rzj| gzu| pus| kss| zgk| sow| anf| scf| bam| xfv| zif| tee| kkl| aho| zvv| ime| cgx| ndc| lfu| xgn| yos| dyc| qjd| lmo| otl| tux| hsq| huk| gxn| kcg| qjg| hje| xuv| cxj|