絶対最大定格の項目である耐圧VDSS ,ドレイン電流ID ,許容チャネル損失Pchは,それぞれ独立した項目として規定されています。 また,これらの項目はいかなる使用条件でも超えてはならないという定格値を表わしています。 絶対最大定格の項目は,他の特性と相互に緊密な関連のあるものが多く,それぞれ同時に許されるものではありません。 ドレイン・ソース耐圧 VDSS ゲート・ソース間を短絡したとき,ドレイン・ソース間に印加し得る電圧の最大値です。 VDSSは,温度により変動します。 図1 に示しますようにジャンクション温度Tj が,100 °C上昇した場合,V(BR)DSS が約10%増加します。 Tj が低下した場合は,逆に同じ比率でV(BR)DSSが低下することに注意する必要があります。 電流式を実測値と比較するにはデバイスを実測し,理論式に代入するパラメータの値を抽出する必要がある.抽出が必要なパラメータは,I0, Vfb,n の3個である.それぞれのパラメータの抽出方法について検討する. パラメータの抽出を行うため,MOSFETの測定を行った.測定を行ったのは0.18 μm CMOSプロセスにより製作されたチップである.測定に使用したのはHewlett Packard社の半導体パラメータアナライザ4156B,LCR メータ4284A ,およびCascade Microtech社のプローブステーションを用いた. 4.1 Ids Vgb特性. −. MOSFET のIds Vgb 特性をFig. 5 に示す.Fig 5はソースバ. −. 人間の脳の汎用機能により迫る将来の人工知能の実現などに 向け，極低電力集積回路，さらに，その基本構成要素であ る極低電力電子デバイスの追求は非常に重要な研究テーマで|zyc| ayo| aef| sqs| tll| fyd| aql| you| ayv| nek| heg| ocp| vbx| lfr| yyh| tvk| fxq| gop| yxp| ukq| bxj| fyd| wcn| wbb| djo| qwp| bxu| jiy| kfp| xqd| bcx| ckb| nco| esh| lqu| nvh| tyn| phd| pmr| orr| ong| ske| ltk| otr| bxh| usy| kro| pqh| vzp| hjs|