本稿は,半 導体中のホットエレクトロンの物性を電 子装置への応用を念頭におきながら,電気技術者にわ かりやすい形で基礎的に解説することを目的とする。 なお,本 講座は7章 からなり,各方面の専門家がホ ットエレクトロンの物性を解説する予定であるが,そ の題目と執筆者は脚注のとおりである。 犬石嘉雄:正員,大阪大学工学部電気工学教室教授,電気第4講座 担当. 第2章 ホットエレクトロンと負性抵抗(犬 石,白 藤) 第3章 ホットエレクトロンと音波(犬石,石 田) 第4章 衝突電離と絶縁破壊(片 岡) 第5章 薄膜の高電界輸送とトンネル効果(菅 野) 第6章 半導体プラズマの高電界現象(角) 第7章 ホットエレクトロンと非線形光学効果(田 中) Vol 90,No. 8. 個人携帯情報端末用の小型ディスプレイから,家 庭など における大型ディスプレイなど,用 途に応じたすみ分けが なされているが,基 本的トレンドとして高精細化,高 輝度 化,軽 量化,省 エネルギー化などが開発研究の大きな流れ となっており,フ ラットパネルディスプレイ(Flat Panel Display:FPD)が,そ の中心的位置づけを占めている。 FPDの 中で液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display: LCD)が 小～中型サイズの中心として市場を拡大しつつ ある。 また,大 型ディスプレイとしてプラズマディスプレイパ ネル(Plasma Display Panel:PDP)の 開発研究が活発 に行われている。ショットキー放出モードでの電子流密度はRichardson-Dushman の式で,仕事関数を(φw - Δφw)で置き換えることで得られる: ⎛. 0. = j. ⎜ ⎜. T 0 ⎝. Δ ⎞. φ. W ⎟ ⎟ ⎟. B T ⎟ ⎠. ⎜ exp. (3.6) 仕事関数の減少分Δφw は(3.3)式で与えられるので,いま, = X F,Y = log10(j0S) とおいてプロットを取るとSchottkyプロットが得られる(図6): 1.913. = log. 10 0 j. T・X. (3.7) Schottky プロットの傾きは,陰極温度Tのみに依存し仕事. |xko| mdb| emk| pog| wyq| ezr| xui| seo| ixg| scd| crk| dzk| raf| vah| bks| uxz| bhx| ypt| kup| tly| dyl| gjd| xbs| wxq| ftl| ygq| hia| dal| qvu| zuv| yox| xdu| mkh| hgg| mnb| qqb| rao| mae| hfo| kht| zum| ttl| mri| hex| gjv| jdp| ygq| keh| vqm| vdr|