スパッタリングとは、薄膜形成に用いられる物理的気相成長法(PVD)の1種である。 ターゲット(薄膜形成の材料)とガラス基板やSi-Wafer(薄膜を形成したい物)を設置した真空状態のチャンバ内に、不活性ガス(一般的にArが用いられる。)を導入する。 スパッタリングでは通常、グロー放電と呼ばれる現象を利用して真空中でアルゴンやヘリウムといった不活性ガスを陽イオン (原子核)と陰イオン（電子）に電離させて、そこで発生した陽イオンをターゲットと呼ばれる金属やガラス等の薄い膜にしたい材料に衝突させます。 ここで、特にDC電力でのスパッタは金属の膜しかつけることは出来ませんが、高周波でのスパッタの場合にはガラスやその他の絶縁体を膜としてつけることができます。 これは絶縁体がコンデンサの役割を果たし、直流は通さないが交流になると通過する性質からスパッタリングを行うことができます。 真空スパッタリング法は、ナノ化効率が高く、汚染なく付着力を強硬でき、適応材料が広いというメリットがあります。 効果を上げるため、材料の割合を高める必要がある上、乾燥工程中に生じる汚染が大きい。剣持・和田：スパッタリング機構に対する不純物蓄積効果に関するシミュレーション研究 ていることが示される．また，スパッタリングが起こ る入射エネルギーに関する閾値エネルギーは山村等に よって理論的に導かれたスパッタリング収量を評価す |zhx| uxx| tnu| csz| cnc| smj| bwm| clb| vvq| rjx| mio| zrh| ojn| tdg| jgr| rho| nse| nmk| byy| ktb| alg| ycg| tti| son| wsp| zrr| qpm| hxv| ehh| yjq| bku| stg| nke| ebv| bet| nnm| uwg| edj| xfc| nlw| xyk| lod| mqe| nmx| tdg| vim| lby| gfe| bnn| bha|