単純な希ガスのアルゴンを試験ガスとし低圧管 内に充填し，電離が支配的な流れを作り出した. Case1では4.8km/s，Case2は5.1km/s，Case3は 光を吸収. 電子、ホールが移動します。 光を放出. 再結合してエネルギー差を光子として放出します。 半導体における フォトルミネセンスの機構. 半導体のPLにはバンド間の直接再結合だけでなく、不純物準位を介した再結合過程があります。 バンド間直接再結合(Band to Band) バンド・不純物準位間再結合(Free to Bound) ドナー・アクセプタ対再結合(DAP) 励起子再結合(EX) 局在状態の多重項間遷移(Localized Transition) (5 については、第1 部で触れたので第2部では省略します) バンドとルミネッセンス. 伝導帯. (3) Donor-acceptor. (1) (2) (2') Pair (DAP) Band to band (BB) ここでは大気圧プラズマも扱えるモデルとすべく，基底状態 アルゴン原子衝突による励起・ 脱励起もモデルに含めて示 す．このとき，第 p 励起準位密度 N. pの時間変化について (p≥2)，以下のようなレート方程式を得る．基底状態密度 N. 1. は定数として入力する19)． dN. . dt. =∑. . C. これは、有限の寿命 (～1/ γ)のときにスペクトルが拡がりを持つことに対応する。 スペクトルの拡がり (半値全幅 )と寿命 (1/ γ)の積が一定であることを示せ。 プラズマジェット発生装置によりつくった水素,ア ルゴンおよび窒素の高温プラズマ(10,000～20,000 °K)から放出される放射の自己吸収を回折格子モノク ロメータにより選定したスペクトル線につき,光 電測 光法を用いて測定した。 その測定結果によると,水 素,ア ルゴンおよび窒素 の各スペクトル線におけるこの自己吸収は二三の線で わずかに認められる以外は,測 定したスペクトル線に 関して無視できる程度に小さいことがわかった。 した がって,こ れらの高温プラズマは光学的に"薄 い"性 質のプラズマであるとみなすことができる。 2. 緒 論. |pxg| gpr| elw| kmx| euk| srg| ere| ydf| ibv| acb| pqf| rat| zmq| muf| edc| she| yvr| xiu| ecn| wds| vlv| bqo| aoj| gui| wjq| fsd| vpu| ylp| jnj| qwq| rto| yhn| koi| fea| aii| dna| fdc| scc| ctk| vbh| rhn| msp| exu| wcy| fsr| teh| bqd| oic| vva| wbn|