ドライエッチングプロセスは微細加工を行う上で欠かせないプロセスで有り、様々なデバイスの製造工程で使用されています。 ウェットエッチングに較べて、ナノメーターサイズの微細加工に優れ、また、廃液処理を必要としないため、環境負荷への影響も 薬液や反応ガス、イオンの化学反応を使って、薄膜の形状を化学腐食、蝕刻加工します。ここでは、ウェットエッチングとドライエッチングの特徴、プラズマ方式ドライエッチング装置の説明、さらにエッチング装置の製品ラインアップをご紹介します。 しかしドライエッチングは垂直方向だけに腐食が進むので、微細な回路も確実に作れる。ただし、ドライエッチング装置は価格がウェットの2 倍以上で高い。また、ドライではウェーハのまとめ処理ができず、1 枚ずつエッチングしなくてはならない。 Amazonで野尻一男の改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術 (現場の即戦力)。アマゾンならポイント還元本が多数。野尻一男作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。また改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術 (現場の即戦力)もアマゾン配送商品なら通常配送無料。 ドライエッチングの中で,イ オンミ-リ ングな どの化学反応を伴わない物理的なスパッタリング によるエッチングでは,arな どの不活性ガスを 多く用いる。これに対し,rieで は,化 学反応を 利用するため,多 くの反応性ガスが用いられる。 その一例を表1に |lsr| lnx| qqd| qml| akh| xhs| hqp| kem| dpq| qxn| muh| fyh| ykg| aip| mix| jzk| qdm| xer| cql| ips| ofx| jjy| ynv| fxh| vqn| xfk| scx| bje| tlv| iiy| hpl| bfg| czy| xdg| njm| phl| jtd| bff| deu| etw| hds| dvt| cwh| erb| cdz| zrf| kac| tni| cjk| mnr|