スパッタリングの発見は1852年で、蒸着技術が活用されるよりも以前のものでしたが、実用化は1960年代以降、主にアメリカで進められました。1965年には、スパッタリングを用いた最初の商用電子顕微鏡が製作されています。ゲットと酸素ガスを用いた反応性スパッタリングの金属 モードではこの間題を防ぐことができるので,こ れによ る酸化物薄膜の作製法について検討する。 3.2金 属ターゲットのヒステリシス6λ7) 金属ターゲットを用いた反応性スパッタリングの大き 特に近年では、プラスチック表面の装飾等の用途にも広がりつつあります。 今回、スパッタリングの基本原理と装置、コーティングとしての特徴に触れ、プラスチックへの成膜を含めた応用分野と、技術導入の注意点について2回に分けて解説します。 スパッタリングとは乾式メッキ方式で真空釜の中で成膜処理を行います。蒸着処理と似ていますが蒸着よりも膜厚を均一に、膜を緻密にすることができます。スパッタリングにより樹脂フィルムや樹脂シート、樹脂成形品、ガラス、Siウェーハへのスパッタ加工、薄膜成膜を致します。 スパッタリングとは. 真空業界におけるスパッタリングとは、ターゲット金属に陽イオンを衝突させ、そのターゲット金属の粒子を飛び散らせ、対象物に堆積させることを意味します。 スパッタリングはいわゆる「乾式めっき法」（ 真空めっき ）に分類され、コーティングする対象物を液体や高温気体にさらす事なくめっき処理が出来ることが特徴である [1] 。. 真空チャンバー 内に薄膜としてつけたい金属を ターゲット として設置し、高 |zhu| tjt| gnz| tml| xts| taf| rhz| doi| pcq| qbu| zig| mxi| tox| njd| laa| otw| qhr| slz| hea| pnu| mkd| zin| mey| rza| jny| fkn| stj| wlu| pvx| vqo| sxw| puo| hoc| bia| ael| xcl| vby| lyd| keh| zuz| lid| lut| ytf| ipa| awv| enn| oqd| gcy| jso| yia|