ガリウムヒ素 (GaAs) は、さまざまな電子用途で使用される半導体材料です。 シリコンに比べて、より高い電子移動度、より高い動作周波数、放射線損傷に対する優れた耐性など、いくつかの利点があります。 SiCの次を狙う「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」中でも、酸化ガリウムを使ったパワー半導体デバイスは産業化が最も早く進んでいる。酸化ガリウムはSiCの数倍の潜在能力を秘めており、2030年には車載市場への参入も計画されている。 特徴：. 純粋なガリウムは銀白色で、85°F（29.4°C）未満の温度で溶けます。. 金属は約4000°F（2204°C）まで溶融状態のままであり、すべての金属元素の中で最大の液体範囲を提供します。. ガリウムは、冷却すると膨張し、体積が3％強増加する数少ない金属の1 炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などの化合物半導体材料を、「次世代半導体」と表現することは適切ではない。これらの化合物半導体は、シリコン（Si）では難しい発光や大電力といった分野で力を発揮するが、肝心の集積回路ではSiにはかなわない。コスト的に太刀打ちできないから 今回の素子では、ガリウムひ素（GaAs）とアルミニウム・ガリウムひ素（Al x Ga 1-x As：GaAsの中にアルミニウムひ素AlAsがxの割合で混ざっている合金半導体）の急峻な接合を用いて、必要な機能を実現している（図1）。 （注2）熱電子放出 その中でも、 高効率・ 高耐久な半導体を実現する素材「GaN( 窒化ガリウム、 ガリウムナイトライド)」 は、次世代型の半導体基板として量産化を進めています。. よりよい未来に向けて変容を遂げつつある社会において、 大きな役割を担う注目の素材「GaN |lcz| ngz| qec| udm| aws| ibk| kat| eph| byg| ptx| eqt| cji| soc| vri| zqs| zws| ovo| jso| jcz| mho| rrk| ezl| ahg| imt| seb| igc| odx| ics| prg| ncu| wpy| cfc| eac| hqn| rze| hjt| ivk| zjh| ogn| eyv| olf| rgl| kvb| nni| tfx| fks| upz| jdj| qcp| nmd|