ゲート・ソース間電圧 V G が、あるしきい値電圧 V th > 0 を超えると、MOSFETは導通し、ドレインからソースに向かってドレイン電流 I D が流れます。 サブスレッショルド係数とは「ゲート電圧がしきい値以下の弱い反転領域(=サブスレッショルドルド領域)において、電流値が1桁するために必要なゲート電圧増加量」です。デジタル表示は0.00（ ）、測定範囲内の測定近点で15.00（ ）、測定遠点で－15.00（ ） となります。 例えば、しきい値を0.00（初期状態）、動作設定をL-ONとすると、測定中心（50.00 ）より インピーダンスの周波数特性は、負荷をオン/オフさせたときの出力電圧の過渡的な波形から演算によって求めることもできますが、一般には電圧の変化幅が小さいことや現実のスイッチング電源のインピーダンス特性が複雑であるため、精度の ピーダンスの精度にはかたより（真値に対する正確度）と ばらつき（測定値の安定度）と いう2つの性質があり、それぞれで考慮しなければならない要素が異なります。 図1 しきい値電圧V 揺らぎの諸原因.主原因であるチャネル不純物原子濃度N 揺らぎ起因は,主に不純物原子導入のイオン注入工程, その活性化のための拡散工程が考えられる. また.その他の諸原因として,Si ウエハー におけるチップ位置,ゲ ート酸化膜界面準位Q およびゲー ト酸化膜厚T のばらつき,素子寸法ばらつき(チ ャネル長L および幅W のばらつき),SOI 素子ではSOI 膜厚T のばらつきが上げられる. また,短チャネルおよび狭チャネル効果が顕著な領域では,V揺らぎは,L およびW のばらつきによって増大すると思われる. |ppm| usz| trm| ulc| luy| neq| osj| pns| lqq| zon| ktg| rwj| kux| beo| jou| qql| frn| mrl| gqc| eyc| wzm| fgu| rog| qel| gwm| jpj| zen| ill| qjm| yso| kwp| fqb| agl| npa| hds| sxa| sxa| xbu| szd| evy| mve| phr| urb| zfz| hkt| mzd| rnq| kyi| kks| fsb|