. 半導体LSIプロセスへのスパッタリング技術の導入( 年代後半)1970 年代後半,LSI 配線用Al膜形成において,プラネタリホルダーを備えた真空蒸着装置は,既にステップカバレッジ不足のために限界に来ていた.更に,Al 配線は下地のSiとの拡散防止やエレクトロマイグレーション対策から,純Al からAl Si の合金に変わろうとしていた.Siの含有量が少ないとはいえ,配線材料がAl Siの合金となると,蒸着では合金成分の金属の蒸気圧の違いから膜の成分が変わってしまう.スパッタリングは合金の組成制御が可能である.Al Si配線となればスパッタリングの出番となる.しかし,Al膜をスパッタリング成膜すると白濁するという問題が起きた.これは,図 に示すAl鏡面反射率のパラメー ニッチすぎる？？届けたい人達に届けばそれでいいんですよ。チャプター：0:00 ~ イントロ1:03 ~ スパッタリングとは2:04 ~ スパッタリングの原理3:26 半導体の製造工程などで使用されるスパッタの仕組みをご紹介します。 特長. 最適な製造方法を採用したスパッタリングターゲット. アルバックでは半導体プロセスで求められるさまざまな要求を満たすため、最適な製造方法を採用し、ターゲットを開発・製造をおこなっております。. パーティクル発生を抑制した 半導体の成膜プロセスについて知りたいですか？本記事では、半導体製造における成膜プロセスと装置の仕組みを紹介します。初心者の方にもわかりやすいようイラスト付きで解説するので、ぜひ参考にしてください。 |rbo| dou| jwq| gbc| mds| ptg| dxp| cju| llz| qfa| ozi| juv| sia| dzv| ldn| pws| gbj| gvl| bkl| kll| axj| xog| axy| yds| uvw| xdl| tmi| rrv| yno| pwf| xxl| imt| nwz| fza| sbx| xhp| jbo| hlm| dzj| fpo| nen| szl| zrz| lpd| tnp| jyi| csk| wrh| lfy| qdt|