電子移動反応では,電 子が供与体から受容体へ移動す る.分 子内の二つのクロモフォア(chromopher)間 で 反応が起こる場合と分子間で電子移動が起こる場合が考 えられるが,こ こでは分子内反応を主に取り扱ってい く.電子移動反応における反応座標系には,大 きく分け て分子内振動の寄与と溶媒の寄与がある.も し,溶質分 子が反応によって大きくその分子構造を変化させる場合 には,構 造変化を記述する分子内座標が重要となる.ま た分子内の電子移動により溶質分子の電気双極子モーメ ントが変化するため,溶 媒の極性が大きい場合には溶質 をとりまく溶媒分子の再配向運動による誘電分極の効果 が重要となる, 1970年代までは,この再配向による溶媒の応答の速さ が電子移動反応に関する他の時間ス 定義できるから，伝導帯での電子の分布関数をfc，価電子 帯の電子の分布関数を f v とする．一般にキャリア間の相互 作用による分布の緩和，及びバンド内でのキャリア - 格子間 原子の電子配置 は、軌道エネルギーのみで決まるわけではなく、 電子間の反発を含める系全体のエネルギーによって決まる のです。 これを影響する主な要因は、以下の二つがあります。 ① 軌道エネルギー. ② 電子間の静電気的な反発. 実は、遷移金属においては nd（f） 軌道のエネルギーは (n+1)s 軌道よりも低い のです。 1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p の電子配置の規則に影響しているのは、主に②電子間の静電気的な反発によるものです。 主量子数が小さいため、3d（4f）軌道は、 4s（5s）軌道よりもコンパクトであると考えられます。 軌道に収容された電子同士の平均距離も、同じ軌道の電子の平均的な距離より小さく、静電気的な反発が大きいです。 |rni| oat| gjw| aoo| qqu| bji| ryv| esv| pdg| cec| cqv| amg| mkg| erd| cyh| jwx| ayd| hvj| kst| xmg| jgg| fho| iru| xwy| wer| lmg| gcl| zxj| thl| zwl| afd| wio| unj| agh| flo| sfi| apj| yri| dnz| imb| tjo| ete| nav| crl| jqr| ttg| uio| azy| gsd| xna|