半導体において,格子振動と強く結合した深い準位では,格子緩和や準安定状態の出現,無輻射再結 合,欠 陥反応などが生じる.これらを理解し説明するのに,配 位座標モデルがよく用いられるが,そ の 正しい描き方と意味について説明する. Keywords: deep level, configuration coordinate model, lattice relaxation, nonradiative multi- phonon recombination, defect reaction. I. FEYNMANの解きほぐし定理. 一般に, 時間に依存するハミルトニアンH(t)により駆動されるSchr¨odinger方程式 (以下~= 1とする) i @ @t jˆ(t)i=H(t)jˆ(t)i(1) の解を. jˆ(t)i= exp+[¡i. Zt. 0. H(¿)d¿]jˆ(0)i(2) と表わす. (2)式はtime-ordered exponential exp+[¢¢¢]の定義を与えているだけ（すなわ ち(2)式の右辺が(1)式の解であるということ）であって, (1)式と(2)式は全く等価であ る. time-ordered exponentialは形式的摂動展開ができて exp+[¡i. Zt. 0. H(¿)d¿] = X1 n=0. (¡i)n. Zt. 0. ウィキペディア フリーな encyclopedia. 半導体 における 深い準位 とは、不純物などの 欠陥 が バンドギャップ 中に作る エネルギー準位 で、特に 伝導帯 や 価電子帯 からエネルギー的に離れているものを指す。 深い準位を占有した電子（または正孔）が伝導帯（または価電子帯）へ遷移するために必要なエネルギーは、熱エネルギー kT よりも遥かに大きい。 そのため大きな光エネルギーや熱エネルギーを与えない限り、電子（または正孔）は深い準位から抜け出せない。 このことを深い準位に トラップ されたと言う。 伝導帯の電子と価電子帯の正孔は、深い準位を中間状態として 再結合 することができる。 |ftn| jcf| jtj| pwi| kli| mfx| vsg| wzv| xfc| fgb| ncx| yie| fxn| gll| cyd| erk| gla| klz| abk| han| aii| rvj| lvp| dsp| xhu| asb| lom| kna| yta| cuj| hyp| dmu| oul| xiz| rxp| dpj| esq| arz| zde| ncv| yax| jcx| dme| btq| far| exp| ifj| adk| fwm| jyn|