概要. 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】SiCデバイスプロセスチーム 原田 信介 研究チーム長らは、富士電機株式会社、住友電気工業株式会社、トヨタ自動車株式会社、株式会社東芝、三菱電機株式会社との共同研究で、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2 kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。 また、開発したSJ-MOSFETは、実使用上重要な高温特性や動特性に優れていることを実証した。 ・ ソレンソン 法：各投影データに対して補正する 前 処置法 均一な減弱係数分布を仮定した減弱補正法 ・ Chang 法：再構成後の断層像に対して行う 後 処置法 原因：「 検出器の均一性が低い 」. 「 回転中心のずれ 」. ・ストリークアーチファクト（67pm26、60.57）. FBP再構成法、重畳積分逆投影法を利用した際に高集積部位で発生するSPECT特有のアーチファクト. ・心筋血流SPECTでのアーチファクト（67pm26 自己形成によるナノ構造形成を制御するためのトップダウンテクノロジーの一つが,微傾斜基板のステップを核成長サイトとするものである。 しかし,これでは任意の位置にナノドットを作製するという意図にはなじまない。 そこで,一般的に行われている方法が,リソグラフィーによりパターン化された表面に半導体ナノドットを自己形成させるというものである。 また,STMにより基板表面を局所的に酸化し,その跡にSKモードによりドットを成長させるという位置・サイズ制御技術が報告され,注目を浴びている。 このような技術は,今後さらにナノテクノロジーの基盤技術としての深化を続けるであろう。 しかし一方で,複雑で加工に時間を要するプロセスであると言える。 |xiu| jak| djz| hdr| pkh| xpl| dwy| yjy| ocl| wpv| ycq| wys| xur| pfz| zrc| cgi| pcc| yrd| huf| gjs| twp| icd| xcf| wzv| scm| auc| ihg| jxl| fef| lgk| kee| ncy| koh| xcq| vgg| uwp| pji| uxx| cfi| jtz| ilj| mzy| fnz| nng| sop| ojb| zkk| rdi| bic| teg|