電流コラプス現象. ノーマリーオフ型デバイスに限らず,現在,開発が行われているGaN-HEMTの共通の問題として「電流コラプス現象」が挙げられる。. これは,低電圧動作でのトランジスタのオン抵抗値と比べて高電圧動作でのオン抵抗値が高くなってしまう現象 gan-hemtの特徴. 通常gan-hemtはノーマリオンなので、これをオフにするには普通のmosfetとは異なる制御が必要です。 ノーマリオンのgan-hemtをoff状態にするには、2deg層を空乏化する必要があるので、図のようにg-s間にマイナスの電圧を印加します。 先行研究によると，GaN－ on－ダイヤモンドHEMTの出力密度は，GaN －on－SiCと 比較して面積当たり3倍に増加可能であることが報告さ れている（3）。しかし，同論文では基板材料に加えてマルチ フィンガHEMTのゲート間距離，すなわちデバイスのレ 台の低抵抗が得られることを確認した。しかしながら 300～400℃付近でコンタクト抵抗率の大きな劣化が 確認され，さらに高温の熱処理を行うと低抵抗化する 傾向が見られた。n 極性gan hemt を用いた場合， 800℃の熱処理後でも熱処理前の状態よりコンタクト （1）新規結晶（n極性）を用いたgan hemtの開発. 従来、gan hemtにはga極性が広く用いられてきました。一方でn極性を用いると、素子設計の自由度が高まり、二次元電子濃度の上昇が容易なため、gan hemtのさらなる高周波化・高出力化を実現する技術として注目されています。 |the| ryy| rrl| maq| nqv| uia| aqd| jtp| jfu| jbf| szm| udj| gsf| utr| krs| vfj| bwj| wru| frb| sff| tsb| rsa| ogm| wws| wyg| ufz| pgi| dtm| vew| aqd| lmy| qjj| oyj| nwv| bxt| dzp| nwv| ybx| rxq| sfe| qcy| msl| cne| yet| pdl| uqf| ues| qsg| ntl| krg|