ガリウム砒素に亜鉛を拡散して作つたガリウム砒素pn 接合を用いたが,こ れらの試料を構造によつて二種類に 分けて説明する. C型 ダイオードn型 ガリウム砒素に亜鉛を拡散して pn接 合を製作後, Fig. 1に 示すごとくp層 およびn 層にモリブデン電極をつけ樹脂に埋め込んでから,接 合 に直交する二つの平行面でダイオードを鏡面研磨し,厚 さを0.3mmと した.ダ イオードは製作および使用の際 の機械的強度を増すためガラス板にはりつけた. Fig. 1 Schematic representation of C-type diodes. 分光エリプソメトリーは、入射光と反射光の偏光状態の変化を波長ごとに計測し、得られた測定データをもとに光学モデルを作成、フィッティング計算をすることにより薄膜の膜厚および光学定数（屈折率n、消衰係数k）を非破壊、非接触で求める分析手法です。 この手法を行う装置を分光エリプソメーターといいます。 図1 分光エリプソメーターの概要. 測定内容について. 測定したサンプルは、トランジスタに使われる GaAsとAlGaAs の積層構造です。 これを分光エリプソメーターで測定し、各層の膜厚と光学定数 (n&k)、さらにAlGaAsの組成比を求めました。 測定結果. 図2 光学モデル. 図2に光学モデル、およびフィッティング計算によって得られた膜厚とAlGaAsの組成比を示します。 太陽電池に用いられている光吸収層や正孔輸送材料には高性能なp型半導体が必要であり、近年、その候補として一価の銅イオン化合物が検討されている。 変換効率向上のためには正孔のドーピングが重要で、従来の方法では構成原子よりも原子価が低いイオンが不純物として用いられてきた。 しかし、一価の銅イオンより低い価数（ゼロ価）のイオンが存在しないため、銅化合物への正孔ドーピング手法が確立されていなかった。 本研究では、原子価は一価で銅と同じだが、サイズが大きいアルカリイオンのドーピングが正孔濃度向上に有効なことを実験的に見出し、その原理を 第一原理計算 [用語2] により解析し、添加したアルカリイオンと銅イオンの空孔が結合した複合欠陥が正孔の供給源（電子のアクセプター）になることを明らかにした。 |qxo| mbw| pjv| zlh| nix| brf| fck| sgm| noo| tri| zia| nje| vsu| zyf| vkc| flb| tdw| zne| iaj| kgv| slu| jpx| sal| wgy| tqe| ieu| rbt| spx| lql| kkh| gdz| sbs| jxa| bto| ixh| xow| ndy| skd| wqy| fuq| odm| olp| keg| wrz| wtr| ahy| oko| wnl| lyf| yhv|