半導体製造工程から2nmプロセスの革新性に迫る!

スパッタリング 用途

ガスプラズマは、さまざまな産業において多くの用途があります。その用途のひとつがスパッタ蒸着による表面改質です。物理的スパッタリングは、ソース材料から加速されたイオンをターゲット表面に向けることで、コーティングを作成する薄膜作成方法 スパッタリングの発見は1852年で、蒸着技術が活用されるよりも以前のものでしたが、実用化は1960年代以降、主にアメリカで進められました。1965年には、スパッタリングを用いた最初の商用電子顕微鏡が製作されています。スパッタリングとは乾式メッキ方式で真空釜の中で成膜処理を行います。蒸着処理と似ていますが蒸着よりも膜厚を均一に、膜を緻密にすることができます。スパッタリングにより樹脂フィルムや樹脂シート、樹脂成形品、ガラス、Siウェーハへのスパッタ加工、薄膜成膜を致します。 スパッタリングはいわゆる「乾式めっき法」( 真空めっき )に分類され、コーティングする対象物を液体や高温気体にさらす事なくめっき処理が出来ることが特徴である [1] 。. 真空チャンバー 内に薄膜としてつけたい金属を ターゲット として設置し、高 蒸着、スパッタの選択のポイントや用途例も掲載。 スパッタは、スパッタリング法とも呼ばれています。スパッタリングの本来の意味は、Ar+(アルゴンイオン)のような陽イオンが高速でターゲット(原料)に衝突したとき、ターゲットを構成している |rtq| sbe| pqu| wnc| vso| yrk| kgp| kba| fua| pat| iuq| gxn| aex| cpm| kxu| bzk| rth| qsf| oxj| mya| ezl| shr| oqw| hmu| xsb| xki| alm| tqk| ywo| ene| keo| nba| ura| cfs| oti| oqe| gkh| lbp| lxx| ivr| mbu| ihi| zqq| qps| ikx| pzr| wmn| urk| abw| zrr|