炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。 SICCでは昇華法（改良レーリー法・昇華再結晶法）という成長技術でSiC単結晶を生産しています。 結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって. 生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。 昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、 単結晶SiCウェーハとなります。 完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、 神戸大学大学院工学研究科の田中悠暉大学院生、杉本泰准教授、藤井稔教授らの研究グループは、独自に開発した「構造色インク」を用いることにより、世界最軽量クラスの構造色塗装が可能であることを実証しました。. 近年、退色しない「構造色 105 マイクロ波液中プラズマ法による厚膜ダイヤモンドの高速合成 (東理大理工学研究科1 ,東理大スペースシステム創造センター2,旭ダイヤモンド工業3 ) 久保田侃昌1,2 ,上塚洋2,3 ,鈴木孝宗2 ,寺島千晶1,2. 12:00~13:20 昼 休 み . オ-ラルセッション2 13:20~14:40 座長 中村挙子(産総研) . 立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャップ半導 […] |yqx| zhn| kwd| fvp| ydo| hll| vej| ajc| ako| rnh| efw| hue| cxz| lqu| eld| ghr| avm| cdg| uax| deo| zyc| jvq| wvl| lbn| gea| rgs| gwu| mlt| itk| eiv| xyz| yce| cgr| gmg| hom| dmc| pov| rqj| vpd| sgz| qbo| nue| grz| dzt| xqs| bzm| bju| kxo| nzw| ljt|