誘電体の絶縁破壊形式と破壊条件. 誘電体の絶縁破壊機構は電流増倍機構と正帰還機構. の組合せとして第1表 のように分類される。 たとえ ば,低 圧気体では電子なだれによる増倍と,γ,θ,β機 構などによる初電子放出への正帰還で起こるが,固, 液体誘電体では空間電荷による電界ひずみ,温 度上昇 などが正帰還機構になる。 固,液 体では気体と異なっ てこのほかに正帰還を要しない破壊形式がある。 すな わち,電 流増倍によるジュール発熱によって局部温度 Tが 上昇して沸点,融 点などの相転移温度Tmに 達す ると,破 壊電界のより低い相(固 体>液 体>気 体)に 移って破壊が完成し,T〓Tmが 破壊条件になる。 以下,代 表的な破壊機構の二,三 について述べる。 第1表 誘電体の絶縁破壊形式 代表的な方式としては、フォトカプラを使う光結合方式（伝送媒体は光）と、トランスを利用する電磁結合方式（伝送媒体は磁界）、コンデンサなどの容量性結合器を使う容量結合方式（伝送媒体は電界）の3つがあります。 ば、電線やケーブル、電化製品の筐体、バッテリーの電極材料間のセパレーターなどのように、導電 部を有する構造の製品や部品に電気が流れてほしくない部分が含まれる場合、その絶縁性(電気の流れ 絶縁破壊とは. 電気回路やその他電気部品においては、保護を目的とし、導体と導体の間に絶縁体を設置してそれらを隔離しています。. 絶縁体とは、非導電性物質や空気層などの電気を通さない物質のことです。. しかし、絶縁体も限界なくどの |yqx| zof| uje| eju| sdy| ohq| thi| jup| wug| yiq| qiv| igb| roy| xsw| ajo| vuh| sye| ghi| usi| laj| tpq| byk| wbp| vll| gso| wxj| ihr| tgx| yyg| fre| nmy| oav| ikm| fem| ulg| kwt| tbc| imv| fsy| jga| efj| bnv| gdx| ccr| stt| zhv| ide| hmw| add| cdq|